삼성전자가 업계 최초로 12단 쌓은 HBM3E 개발에 성공하고 상반기 중에 양산에 들어간다.

D램 칩을 12단으로 쌓은 5세대 고대역폭 메모리(HBM) D램 개발에 성공한 것이다.

이 제품은 최대인 36기가바이트(GB) 용량을 구현한 제품으로, 삼성전자는 상반기 양산에 나서 고용량 HBM 시장을 선점한다는 계획이다.

삼성전자는 HBM3E 12H의 샘플을 고객사에게 제공하기 시작했으며 상반기 양산할 예정이다.

이번에 개발한 HBM3E 12H는 성능과 용량 모두 전작인 HBM3(4세대 HBM) 8H(8단 적층) 대비 50% 이상 개선됐다.

초당 최대 1천280GB를 처리할 수 있는데, 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 40여편을 업로드 또는 다운로드할 수 있는 속도다.

AI 반도체 시장이 2030년까지 10배 이상 커질 것으로 예상되는 가운데 AI 서비스의 고도화로 데이터 처리량이 급증하며 고용량 솔루션의 니즈(요구)도 커지고 있다.

HBM3E 12H 제품을 사용할 경우 그래픽처리장치(GPU) 사용량이 줄어 기업들이 총 소유 비용(TCO)을 절감할 수 있다는 장점이 있다.

예를 들어 서버 시스템에 HBM3E 12H를 적용하면 HBM3 8H를 탑재할 때보다 AI 학습 훈련 속도를 평균 34% 향상할 수 있고, 추론의 경우에는 최대 11.5배 많은 AI 사용자 서비스가 가능하다고 삼성전자는 전했다.

AI 반도체 시장이 2030년까지 10배 이상 커질 것으로 예상된다. AI 서비스의 고도화로 데이터 처리량이 급증하며 고용량 솔루션의 요구도 커지고 있다.

삼성전자는 6세대 HBM인 HBM4도 2025년 샘플링과 2026년 양산을 목표로 개발이 순조롭게 진행 중이다.

삼성전자는 HBM4 16H 초고용량 제품에서 칩과 칩 사이 갭을 완전히 없애고, 칩을 완전히 붙이는 신공정을 개발하는 중이다.

삼성전자의 이번 개발 성공이 반도체 강국 도약에 기폭제가 되기를 기대한다.
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